薄膜試作 技術紹介 サービスの流れ
スパッタリング法、真空蒸着法によってお客様ご支給基材に金属、酸化物、窒化物、フッ化物、
有機物を成膜します。
お問い合わせ
どのような薄膜をどのような基材に成膜したいのか、概要をお知らせ下さい。
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試作可否の検討
弊社での試作の可否、概算見積額及び納期を回答し成膜方法、成膜条件等のご提案をします。
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見積書の発行
FAXまたはメールにて見積書を提出します。
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ご発注
発注書のご発行及び基材のご送付をお願いします。
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成膜作業
お打ち合わせに基づき成膜作業を行います。
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納品
成膜された試料を作業報告書と共に納品します。
台数
4機(市販品ではないため型番はありません)
環境
基板のセッティングは、可能な限りクリーンベンチ内で行われますが、各真空装置はクリーンルーム内には置かれておりません。
真空装置A
成膜方法
真空蒸着またはRFイオンプレーティング
真空槽形状
800h×φ550
主排気装置
ターボ分子ポンプ
その他
10kW電子銃
真空装置B
成膜方法
スパッタリングまたはRFCVD
真空槽形状
350h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
12カ所
その他
自公転基板ホルダー
真空装置C
成膜方法
スパッタリング
真空槽形状
450h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
12カ所
その他
3源同時放電・多層膜・
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)
真空装置D
成膜方法
スパッタリングまたは抵抗加熱式真空蒸着
真空槽形状
450h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
10カ所
その他
2源同時放電
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)
※装置B,C,Dは比較的自由度が大きく上記以外にも様々な成膜に対応可能です。
- ■クリーンベンチ(class 100、日立製作所)
- ■RF電源(13.56MHz,1kW、日本電子)
- ■DC電源（1000V,5A(MDX-5K 2台ADVANCED ENERGY）、2500V,300mA、2000V,5A、650V,100mA）
- ■電子銃（10kW、日本電子）
- ■真空熱処理炉(400℃まで)
- ■成膜時導入可能気体Ar、O2、N2、He、Ar+O2等（いずれも純ガス）
氏名
鈴木一博
薄膜に関する論文
約30報
出身
新潟県
薄膜に関する著書
6冊(共著)
学位
工学博士
薄膜に関する学会発表
約200回(2013年まで)
所属学会等
応用物理学会、電気学会、高分子学会、電気化学会化学センサ研究会、湿度、水分計測・センサ研究会
その他
元青山学院大学、国際基督教大学非常勤講師
略 歴
1993年 青山学院大学理工学部電気電子工学科より工学博士授与(同大同学科の論文ドクター第一号です)
2014年 薄膜成長に携わり続けて35年目現在に至る
2014年 薄膜成長に携わり続けて35年目現在に至る
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