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スパッタリング法、真空蒸着法による薄膜試作を承ります。

 

弊社薄膜試作の特徴

１、成膜条件はすべて開示いたします。

２、弊社での生産を前提とした試作ではありません。

３、試作目的に合わせて成膜装置内部のレイアウトを変更いたします。

４、経験豊富な担当者が成膜致します。

 

まずは、どのような薄膜をどのような基材に成膜したいのかの概要をお知らせ下さい。弊社での試作の可否、概算見積額および納期を回答いたします。

 

連絡先   〒１８２－０００６

　　　 東京都調布市西つつじヶ丘１－９－９海老水第二ビル

トウプラスエンジニアリング株式会社

 電話　：０４２－４９０－７３７７

ＦＡＸ：０４２－４９０－７３７８

　　　　　担当　：鈴木、井上

 

薄膜試作主担当者の紹介

名:鈴木一博

出身:新潟県

学位:工学博士

所属学会等:応用物理学会、電気学会、高分子学会、電気化学会化学センサ研究会、湿度、水分計測・センサ研究会

薄膜に関する論文:24報

薄膜に関する著書:5冊(共著)

薄膜に関する学会発表:150回位?(以上2007年まで)

 

略歴:1981年　薄膜成長を専門とする青山学院大学理工学部電気電子工学科犬塚研究室を卒業

　　同年　　　(株)フェニクス(現在のトウプラスエンジニアリング(株))に入社

1993年                  青山学院大学理工学部電気電子工学科より工学博士授与(同大同学科の論文ドクター第一号です)

年度によっては某大学非常勤講師を兼任

2011年                 薄膜成長に携わり続けて32年目　現在に至る

 

所有真空装置　

台数　４機(市販品ではないため型番はありません)

環境　基板のセッティングは、可能な限りクリーンベンチ内で行われますが、

各真空装置はクリーンルーム内には置かれておりません。

　　　　

装置A  成膜方法　　　　　　　　　真空蒸着またはRFイオンプレーティング

　　　　真空槽形状　　　　　　　　800h×φ550

        主排気装置　　　　　　　　ターボ分子ポンプ　　　　

その他　　　　　　　　　　10kW電子銃　

  

装置B　成膜方法　　　　　　　　　スパッタリングまたはRFCVD

真空槽形状　　　　　　　　350h×φ450

主排気装置　　　　　　　　油拡散ポンプ

ターゲット取付可能ポート　１２カ所

その他　　　　　　　　　　基板自公転　

　　　　　　　　　　　　　　　　　２層膜

 

装置C　成膜方法　　　　　　　　　スパッタリング

真空槽形状　　　　　　　　450h×φ450

主排気装置　　　　　　　　油拡散ポンプ

ターゲット取付可能ポート　１２カ所

　　　　その他　　　　　　　　　　３源同時放電　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　多層膜

　　　　　　　　　　　　　　　　　基板冷却

　　　　　　　　　　　　　　　　　基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)

 

装置D　成膜方法　　　　　　　　　スパッタリングまたは抵抗加熱式真空蒸着

真空槽形状　　　　　　　　450h×φ450

主排気装置　　　　　　　　油拡散ポンプ

ターゲット取付可能ポート　１0カ所

　　　　その他　　　　　　　　　　２源同時放電　

　　　　　　　　　　　　　　　　　基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)

 

装置B,C,Dは比較的自由度が大きく上記以外にも様々な成膜に対応可能です。

 

　　　

真空装置A　　　　　　　　　　　　　　　　　　　真空装置B

 

　　

真空装置C　　　　　　　　　　　　　　　　　　　真空装置D

 

主な関連機器　

クリーンベンチ(class 100、日立製作所)

RF電源(13.56MHz,1kW、日本電子)

DC電源 (1000V,5A(MDX-5K 2台)、2500V,300mA、2000V,5A、650V,100mA)

電子銃用電源(10kW、日本電子)　　

真空熱処理炉(400℃まで)

成膜時導入可能気体　Ar,O2,N2,He,Ar+O2,H2等(いずれも純ガス)

保有スパッタリングターゲット(2009年7月末日現在)

C,Mg,Al,Si,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Ru,Pd,Ag,Sn,Ta,W,Pt,Au,Pb,Bi,Nd,Gd,Dy,

SiO2,Al2O3,Y2O3,TiO2,ITO,IZO,BTO

CaF2,YF3, DyF3,TbF3, AlF3,SUS,他(いずれもφ130)

 

成膜実績

上記ターゲット材料の他、Ca,Ir,Rh,Cr2O3,Fe2O3,Co3O4,NiO,Cu2O,CuO,ZnO,ZrO2,Nb2O5,MoO3,SnO2,Ta2O5,WO3,

Dy2O3,TiN,ZrN,CrNx,CNx,Si3N4,BN,各種有機物単量体(色素と半導体),MgF2, CrF3, HfF4,SiC無定型水素化炭素、無定型フッ化炭素および合金多種、また、Au,Pt,Rh,Ni,Ir,ダイヤモンド,TiNのエピタキシャル膜　

 

弊社研究業績リスト(薄膜関係の)

＜査読の付いた論文＞

(1) K.Suzuki, Y.Nabeta and T.Inuzuka; "Fabrication and Characteristics of Thin Film Humidity Sensor"(1982) pp.61-65　IEE of Japan

(2) K.Suzuki, K.Koyama, T.Inuzuka and Y.Nabeta; "Alumina Thin Film Humidity Sensor Controlling of Humidity Characteristics and Aging" Proc. of The 3rd Sensor Symposium, (1983) pp.251-256  IEE of Japan

(3) K.Suzuki, K.Koyama, Y.Nabeta and T.Inuzuka;"Mechanism of Moisture Sensing by Thin Film Humidity Sensor"

    Proc. of The 4th Sensor Symposium, (1984) pp.287-291  IEE of Japan

(4) K.Suzuki, K.Koyama, Y.Nabeta and T.Inuzuka; "Humidity Sensing Mechanism of Hydrogenated Carbon Films Containing Oxygen" Proc. of The 6th Sensor Symposium, (1986) pp.273-277  IEE of Japan

(5) K.Suzuki, A.Sawabe, H.Yasuda and T.Inuzuka; "Growth of Diamond Thin Films by dc Plasma Chemical Vapor Deposition" Appl. Phys. Lett. 50 (1987) pp.728-729

(6) K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka; "Characterizations of the dc Discharge Plasma During Chemical Vapor

    Deposition for Diamond Growth"  Appl. Phys. Lett. 53 (1988) pp.1818-1819

(7) 安田浩明、澤辺厚仁、犬塚直夫、鈴木一博；「直流放電を用いた気相成長法によるダイヤモンド薄膜の作製と評価」 真空　31 (1988) pp.637-643

(8) A.Sawabe, H.Yasuda, T.Inuzuka and K.Suzuki; "Growth of Diamond Thin Films in a DC Discharge Plasma"  Appl. Surf. Sci. 33/34 (1988) pp.539-545

(9) S.Koizumi, K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka; "Growth of Diamond by Atomic Vapor Deposition"  J. Cryst. Growth 99 (1990) pp.1188-1191

(10)S.Koizumi, T.Murakami, K.Suzuki and T.Inuzuka; "Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Cubic Boron Nitride

   ｛111｝Surfaces by dc Plasma Chemical Vapor Deposition" Appl. Phys. Lett. 57 (1990) pp.563-565

(11)K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka; "Growth of Diamond Thin Films by dc Plasma Chemical Vapor Deposition and

    Characteristics of the Plasma"  Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) pp.153-157

(12)T.Inuzuka, S.Koizumi and K.Suzuki; "Epitaxial growth of diamond thin films on foreign substrates" Diamond and Related Materials, 1 (1992) pp.175-179 

(13)鈴木一博；「電気容量型湿度センサ用材料と感湿機構」電気学会論文誌Ａ､ 112 (1992) pp.782-788

(14)鈴木一博；「フェノール樹脂を用いた電気容量型湿度センサ」電気学会論文誌Ａ､ 113 (1993) pp.98-102

(15)鈴木一博；「電気容量型湿度センサの感湿機構とその作製に関する研究」青山学院大学博士学位論文(1993)

(16)N.Yokonaga,Y.katsu,T.Machida,T.Inuzuka, S.Koizumi and K.Suzuki; "Oriented growth of diamond on thermally carburized silicon substrates" Diamond and Related Materials,5 (1996) pp.43-47

(17)K.Ohtsuka, K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka; "Epitaxial growth of diamond on iridium" Jpn.J.Appl.Phys.35 (1996) pp.L1072-L1074

(18)K.Ohtsuka, H.Fukuda, K.Suzuki and A.Sawabe; "Fabrication of epitaxial diamond thin film on iridium"  Jpn.J.Appl.Phys.36 (1997) pp.L1214-L1216

(19)澤辺厚仁、福田秀夫、鈴木一博 「ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長」電子情報通信学会誌Ｃ－２、J81-C-2 (1998) pp.162-171

(20)T.Saito, S.Tsuruga, N.Ohya, K.Kusakabe, S.Morooka, H.Maeda, A.Sawabe and K.Suzuki; "Epitaxial nucleation of diamond on an iridium substrate by bias treatment for microwave plasma-assisted chemical vapor deposition" Diamond and Related Materials 7 (1998) pp.1381-1384

(21)K.suzuki, H.Fukuda, T.Yamada and A.Sawabe; "Epitaxially grown free-standing diamond platelet" Diamond and Related Materials 10 (2001) pp.2153-2156

(22) A.Sawabe, T.Yamada, H.Okamura, M.Katagiri and K.Suzuki; "Epitaxial growth of diamond thin films on Ir(001)/MgO(001) stacking by two-step dc plasma chemical vapor deposition and their characterization" New Diamond and Frontier Carbon Technology 12 (2002) pp.343-353

(23)K. Iakoubovskii, A. Atesmans, K. Suzuki, A. Sawabe and T.Yamada; "Symmetry of the hydrogen-vacancy-like defect H1 in diamond" Phys. Rev. B 66 (2002) pp.113203-113206

(24)K. Iakoubovskii, A. Atesmans, K. Suzuki, J. Kuwabara and A. Sawabe; "Characterization of defects in monocrystalline CVD diamond films by electron  spin resonance"   Diamond and Related Materials 12 (2003) pp.511-515

 

＜査読を伴わない論文＞

(1) 鈴木一博、澤辺厚仁、犬塚直夫；「電子線ＣＶＤ法による炭素薄膜の作製とその電子材料への応用」 第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 (1985) pp.201-204  ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会

(2) 小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；「比較的平坦な表面形状を持つダイヤモンド薄膜の成長」 ＭＥＳ’９１　第４回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 (1991) pp.217-220  ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会

(3) 横長徳之、町田宅広、小泉聡、犬塚直夫、鈴木一博；「シリコン下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」 ＭＥＳ’９５　第６回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 (1995) pp.75-78  エレクトロニクス実装技術協会

(4)　澤辺厚仁、福田秀夫、鈴木一博；「イリジウム表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」ＭＥＳ’９８　第８回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集　(1998) pp.69-72  マイクロエレクトロニクス実装学会

 

＜解説＞

(1) 犬塚直夫､ 鈴木一博、鍋田庸一；「金属酸化物を用いた薄膜湿度センサ」 センサ技術、 2 (1982) 84

(2) 小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；「ダイヤモンド薄膜合成に関する最近の話題」　材料科学　25 (1988) 271-276

(3) 鈴木一博、犬塚直夫；「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド合成」 表面技術、42 (1991) 1196-1198

(4) 鈴木一博、　大塚一樹、　澤辺厚仁；「イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」ＮＥＷ　ＤＩＡＭＯＮＤ、44 (1997) 20-21

(5) 鈴木一博；「高分子薄膜および高分子への蒸着における付着力、密着性」 表面技術、48 (1997) 682-686

(6) 鈴木一博、　澤辺厚仁；「イリジウム基板へのダイヤモンド薄膜のエピタキシャル成長」ＮＥＷ　ＤＩＡＭＯＮＤ、67 (2002) 6-12

 

＜国際会議以外の口頭発表＞

(1) 1981年4月1日「金属酸化物薄膜を用いた容量型湿度センサーの試作」 第２８回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(2) 1981年8月19日「イオンプレーティングにおける薄膜形成過程」 電子部品．材料研究会　ＣＰＭ８１－２３　電子通信学会

(3) 1981年10月8日「金属酸化物薄膜を用いた容量型湿度センサーの試作（Ⅱ）」 第４２回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(4) 1981年10月8日「プラズマを用いた薄膜作製における初期成長過程の観察」 第４２回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(5) 1982年4月3日 「金属酸化物薄膜を用いた容量型湿度センサの試作（Ⅲ）」 第２９回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(6) 1982年5月28日「金属酸化物薄膜を用いた容量型湿度センサの試作」 第２回「センサの基礎と応用」シンポジウム　 電気学会

(7) 1982年6月7日  "INITIAL GROWTH PROCESS OF Au FILMS FORMED BY PLASMA ASSISTED DEPOSITION" 第６回　シンポジウム　「イオン源とイオンを基礎とした応用技術」　ＩＳＩＡＴ’８２  イオン工学懇談会、電気学会

(8) 1982年9月20日「容量型薄膜湿度センサ」－感湿部の評価－ 電子部品．材料研究会　ＣＰＭ８２－４３　電子通信学会

(9) 1983年4月7日 「金属酸化物薄膜を用いた容量型湿度センサの試作（Ⅳ）」 第３０回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(10) 1983年6月10日「アルミナ薄膜湿度センサの感湿部の構造と特性制御」 第３回「センサの基礎と応用」シンポジウム 電気学会

(11)1984年3月30日 「ＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成（Ⅰ）」 第３１回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(12)1984年6月1日「容量型薄膜湿度センサの感湿機構」 第４回「センサの基礎と応用」シンポジウム　 電気学会

(13)1985年6月4日 "Growth of diamond thin films by electron assisted chemical vapor deposition" 第９回　イオン工学シンポジウム　「イオン源とイオンを基礎とした応用技術」　ＩＳＩＡＴ’８５  イオン工学懇談会、電気学会

(14)1985年7月25日「電子線ＣＶＤ法による炭素薄膜の作製とその電子材料への応用」 第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム   国際ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会日本本部　（ISHM JAPAN）

(15)1986年5月30日「無定型炭素薄膜を用いた湿度センサの作製と評価」 第６回「センサの基礎と応用」シンポジウム　 電気学会

(16)1986年11月25日「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成」 第１回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(17)1987年3月28日「ＤＣプラズマＣＶＤによる粒状ダイヤモンドの合成」 第３４回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(18)1987年10月18日「原子蒸着法による炭素薄膜の作製」第４８回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(19)1987年10月18日「直流プラズマＣＶＤによるダイヤモンドの合成とそのプラズマ状態の評価」 第４８回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(20)1987年12月14日「直流プラズマＣＶＤ法におけるダイヤモンド合成時のプラズマ状態の評価」第２回　ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(21)1988年3月29日「原子蒸着法による炭素薄膜の作製（Ⅱ）」第３５回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(22)1988年5月10日「無定型炭素薄膜を用いた容量型湿度センサ」 第８回「センサの基礎と応用」シンポジウム　電気学会

(23)1988年10月5日「原子蒸着法によるダイヤモンドの合成」第４９回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(24)1989年4月1日「原子蒸着法によるダイヤモンドの合成Ⅱ」第３６回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(25)1989年9月27日「立方晶窒化ホウ素粒子表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」 第５０回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(26)1989年12月1日「c-BN表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」 第３回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(27)1990年3月29日「直流プラズマＣＶＤ法による立方晶窒化ほう素の合成」第３７回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(28)1990年3月29日「立方晶窒化ほう素粒子表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」 第３７回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(29)1990年9月27日「シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜の初期成長過程の観察」第５１回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(30)1991年1月22日「直流プラズマＣＶＤ法による窒化ほう素薄膜の作製」 第４回ダイヤモンドシンポジウム  ニューダイヤモンドフォーラム

(31)1991年1月23日「シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜初期成長過程の観察」 第４回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(32)1991年5月10日「比較的平坦な表面形状を持つダイヤモンド薄膜の成長」MES’91　第４回マイクロエレクトロニクスシンポジウム  ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会（ＳＨＭ）

(33)1991年5月30日「高分子湿度センサの感湿機構に対する検討」 第１０回「センサの基礎と応用」シンポジウム  電気学会

(34)1991年10月10日「加圧型ＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成」第５２回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(35)1991年10月10日「直流プラズマＣＶＤ装置の改良」第５２回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(36)1991年12月5日「ダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」 第５回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(37)1992年3月28日「平面状プラズマを用いたダイヤモンド合成」第３９回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(38)1992年3月29日「Ni薄膜表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長」 第３９回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(39)1992年5月15日「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド合成」電子材料表面処理技術部会　第１６回例会　表面技術協会

(40)1992年6月5日 「フェノール樹脂を用いた容量型湿度センサ」 第１１回「センサの基礎と応用」シンポジウム　 電気学会

(41)1992年9月16日「ダイヤモンド表面におけるシリコンのエピタキシャル成長Ⅰ」第５３回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(42)1992年9月16日「ニッケル薄膜表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅱ」第５３回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(43)1992年11月26日「ニッケル表面でのダイヤモンドの核発生とエピタキシー」第６回ダイヤモンドシンポジウム  ニューダイヤモンドフォーラム

(44)1992年9月27日「三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド成長」  第５４回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(45)1993年9月29日「燐化合物及び燐を不純物源としたダイヤモンド薄膜の作製とその評価」第５４回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(46)1993年11月29日「三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるＳｉ表面へのダイヤモンド成長」 第７回ダイヤモンドシンポジウム　    ニューダイヤモンドフォーラム

(47)1994年3月28日「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅰ」第４１回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(48)1994年3月30日「五酸化二燐を不純物源としたダイヤモンド薄膜の作製とその電気特性」 第４１回応用物理学関係連合講演会   応用物理学会

(49)1994年6月2日「直線的な相対湿度-電気容量特性を有する湿度センサ」 第１２回「センサの基礎と応用」シンポジウム 電気学会

(50)1994年9月20日「燐ドープ・111・ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気特性」 第５５回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(51)1994年9月21日「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅱ」 第５５回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(52)1994年11月25日「炭化したシリコン下地へのダイヤモンド成長」第８回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(53)1994年11月25日「アークプラズマを用いた窒化炭素の合成」第８回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(54)1995年3月30日「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Щ」第４２回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(55)1995年4月19日「シリコン下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」MES’95　第６回マイクロエレクトロニクスシンポジウム  エレクトロニクス実装技術協会

(56)1995年6月14日「電気容量型湿度センサの感湿機構とその作製」第８回湿度、水分計測・センサ研究会　材料技術研究協会

(57)1995年8月26日「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅳ」第５６回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(58)1995年8月26日「常圧熱ＣＶＤ法による窒化炭素の合成」第５６回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(59)1995年11月21日「β-SiC下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」第９回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(60)1995年11月21日「常圧熱ＣＶＤ法による窒化炭素の合成」第９回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(61)1995年11月22日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」 第９回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム   (Late News)

(62)1996年3月26日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」第４３回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(63)1996年3月27日「ホモエピタキシアルダイヤモンド薄膜からの電界電子放出」第４３回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(64)1996年5月24日「イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」犬塚　直夫先生追悼　ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会’96－ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する－」ニューダイヤモンドフォーラム

(65)1996年9月7日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅱ」 第５７回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(66)1996年9月7日「ホモエピタキシアルダイヤモンド薄膜からの電界電子放出Ⅱ」第５７回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(67)1996年9月7日「架橋ポリマーをマトリクスとして用いた積層型有機ＥＬ素子の試作」第５７回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(68)1996年12月2日「常圧熱ＣＶＤ法による窒化炭素の合成」第１０回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(69)1996年12月3日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル薄膜の作製」第１０回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム   (Late News)

(70)1997年3月28日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅲ」第４４回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(71)1997年10月2日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅳ」第５８回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(72)1997年10月3日「燐添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出特性」第５８回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(73)1997年12月1日「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性」 第１１回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(74)1998年3月29日「Planner Hall効果を利用した高感度磁界検出に関する検討」第４５回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(75)1998年3月29日「架橋ポリマーをマトリクスとして用いた耐熱性積層型有機ＥＬ素子の試作」第４５回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(76)1998年3月29日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅴ」第４５回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(77)1998年3月30日「金属製反応槽を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤによるリンドープダイヤモンド薄膜の作製」第４５回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(78)1998年3月30日「水素処理を施したダイヤモンドフィールドエミッタ表面の安定性の評価」第４５回応用物理学関係連合講演会   応用物理学会

(79)1998年9月15日「燐添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出機構」第５９回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(80)1998年9月15日「金属製反応槽を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤによるリンドープダイヤモンド薄膜の作製２」第５９回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(81)1998年9月16日「水素、メタン、酸素および減圧空気雰囲気における電気式湿度センサの特性」第５９回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(82)1998年9月16日「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長６」第５９回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(83)1998年9月20日「planner Hall効果を利用した高感度磁界検出に関する検討」第２２回日本応用磁気学会学術講演会　日本応用磁気学会

(84)1998年10月1日「架橋ポリマーをマトリクスとして用いた耐熱性積層有機ＥＬ素子の試作」第４７回高分子討論会高分子討論会　  高分子学会

(85)1998年11月24日「マイクロ波プラズマＣＶＤによるｎ型リンドープダイヤモンド薄膜の作製」第１２回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(86)1998年11月24日「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性２」第１２回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(87)1998年11月25日「水素処理を施したダイヤモンドフィールドエミッタ表面の安定性の評価」第１２回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(88)1998年12月16日「イリジウム表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」マイクロエレクトロニクスシンポジウム　MES’98（環境調和．超高速回路時代のフロンティア実装技術）マイクロエレクトロニクス実装学会

(89)1999年3月24日「イリジウム基板を用いた高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜」平成１１年　電気学会全国大会シンポジウム　高品質ダイヤモンドの人工合成技術の動向  電気学会

(90)1999年3月29日「劈開可能な自立ダイヤモンド膜の作製」第４６回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(91)1999年9月2日「相対湿度センサを用いた水分蒸発速度計の試作」第６０回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(92)1999年9月2日「高周波プラズマＣＶＤ法による磁気ヘッド保護用無定形炭素薄膜の作製」第６０回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(93)1999年9月3日「電子衝撃ＣＶＤ法による大面積ダイヤモンド薄膜の作製」第６０回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(94)1999年9月3日「エピタキシャルダイヤモンド成長の前処理によるイリジウム表面の変化」 第６０回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(95)1999年9月4日「ＴＰＤ分散ポリイミド層を有する長寿命有機ＥＬ素子の作製」 第６０回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(96)1999年9月4日「ホウ素添加ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出」第６０回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(97)1999年11月25日「エピタキシャルダイヤモンド成長用イリジウム下地の作製」第１３回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(98)2000年3月29日「架橋ポリエーテルスルホンを感湿膜とした耐熱性湿度センサの作製」第４７回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(99)2000年9月5日「イリジウム基板上へのエピタキシャルダイヤモンド成長におけるの前処理の役割」第６１回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

(100)2000年9月6日「容量型湿度センサの酸,アルカリ,有機溶媒雰囲気での安定性」第６１回応用物理学会学術講演会 応用物理学会

(101)2001年11月29日「対向型２電極直流プラズマCVD装置でイオン照射されたIr下地へのダイヤモンド成長」第１５回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(102)2002年3月28日「イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製」－イオン照射条件依存性－　第４９回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

(103)2003年11月27日「多電極直流プラズマCVD法による方位成長速度比を制御したダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長」 第17回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(104)2003年8月30日「Pb(Zr,Ti)O3(001)配向膜の作製とその誘電特性の評価」 第64回応用物理学術講演会　応用物理学会

(105)2003年8月30日「イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製（4）」第64回応用物理学術講演会　応用物理学会

(106)2004年3月29日「PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長（7）～PZT中IrO2の低減～」第51回春季応用物理学関係連合講演会 応用物理学会

(107)2004年3月30日「ヘテロエピタキシャルダイヤモンドのパターニング成長」第51回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(108)2004年9月3日「イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製（5）」第65回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(109)2004年9月3日「PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長（8）」第65回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(110)2004年9月3日「選択へテロエピタキシャル成長ダイヤモンドの形態制御」第65回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(111)2004年11月29日「選択成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製」　第18回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(112)2004年11月29日「直径1インチのイリジウム下地へのエピタキシャル薄膜の作製」第18回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(113)2004年11月29日「Ir上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド成長」第18回 ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(114)2005年3月30日「イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンドの作製（6）」第52回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(115)2005年3月31日「Ir上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド膜成長」第53回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(116)2005年3月31日「選択成長法を用いたへテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製」第52回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(117)2005年9月7日「イリジウム下地への大面エピタキシャルダイヤモンドの作製（７）」第66回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(118)2005年9月7日「選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の結晶性評価」第66回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(119)2005年9月7日「Ir上へテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド膜成長（2）」第66回秋季応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(120)2005年11月24日「直径1インチエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製」第19回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(121)2006年3月22日「Ir下地へのエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製」第53回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(122)2006年3月22日 「エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化～イオン照射時の基板温度とメタン濃度の適正化～」第53回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(123)2006年3月22日「選択成長法を用いた大面積へテロエピタキシャルダイヤモンドの自立膜の作製」第53回春季応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

(124)2006年8月29日「エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化2～イオン照射時の陽極-基板間距離の適正化～」第67回応用物理学会学術講演会　応用物理学会

(125)2006年11月21日「イリジウム上へのヘテロエピタキシャルリンドープダイヤモンド膜の作製」20回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(126)2006年11月21日「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化～エピタキシャルダイヤモンド核の高数密度化～」第20回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(127)2006年11月21日「選択成長法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製」第20回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(128)2006年11月21日「大面積ヘテロエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製」第20回ダイヤモンドシンポジウム　ニューダイヤモンドフォーラム

(129)2007年3月28日「ライン状ヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長」第54回応用物理学関係連合講演会　応用物理学会

 

＜国際会議の口頭発表＞

(1)1983年9月19日 "Characteristics and reliability of Al２O３thin film humidity sensor" International Meeting on Chemical Sensors, Fukuoka Electro chemical Society of Japan 　

(2) 1987年8月24日 "Growth of Diamond Thin Films in a DC Discharge Plasma" Fourth International Conference on Solid Films and Surfaces   ICSFS-4  Research Institute of Electronics

(3)1989年8月23日 "Growth of Diamond by Atomic Vapor Deposition"  9th International Conference on Crystal Growth   ICCG-9

(4)1994年9月21日 "Oriented Growth of Diamond on Hydrogen Terminated Silicon Substrate"　The fourth international conference on the new diamond science  

(5)1994年9月21日 "Oriented Growth of Diamond on Si by DC Plasma CVD" The fourth international conference on the new diamond science

(6)1995年2月2日「電気容量型湿度センサ用感湿材料の一選択方法」湿度、水分計測センサに関する国際ワークショップ　

　　International Workshop on Humidity and Moisture 材料技術研究協会「湿度、水分計測・センサ研究会」　

(7)1997年8月6日 (Invited) "Epitaxial Growth of Diamond on Iridium by DC-PCVD Method" 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials jointly with Applied Diamond Conference 1997 4th International Conference on the Applications of Diamond Films and Related Materials   Heriot-Watt University, Edinburgh, Scotland  

(8)1998年3月4日 (invited) "Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Iridium Surface"  The 5th NIRIM International Symposium on Advanced Materials  NIRIM, Tsukuba, National Institute for Research in Inorganic Materials

(9)1998年8月31日 (invited) "Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Iridium Surfaces and their Characterization" Sixth International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-6th)  Japan New Diamond Forum, Solid State Physics and Materials Specialist Group of the South African Institute of Physics

(10)1998年3月2日 (invited) "Formation of cleavable free-standing diamond platelet utilizing epitaxial diamond on iridium"     The 6th NIRIM International Symposium on Advanced Materials  NIRIM, National Institute for Research in Inorganic Materials

(11)2003年8月“Large Area Deposition of Heteroepitaxial Diamond Thin Films on Ion-irradiated Iridium” The 10th International Conference on the Application of Diamond Films and Related Materials, 3rd International Conference on Frontier Carbon Technology Joint ContenceB-02, Organizing Committee of the Conference

(12)2004年3月26日“Patterned growth of heteroepitaxial diamond” The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology

(13)2004年9月17日“Patterning and morphology control of heteroepitaxial　diamond” 15ｔｈ European Conference on Daiamond, Carbon nanotubes Nitride & Silicon Carbide

(14)2005年5月14日“Free-standing diamond platelet fabricated by patterned heteroepitaxial growth” The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology

(15)2005年9月17日“Effect of nucleation site control on the defect in heteroepitaxial diamond films” 16th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides

(16)2006年9月4日 “Defects reduction in heteroepitaxially grown diamond on iridium” DAIAMOND2006

(17)2007年5月28日 ”Fabrication of high quality diamond films by patterned nucleation and growth method” NDNC2007

 

＜著書＞

(1) 「ダイヤモンド薄膜技術」 (1988) pp.101-115  総合技術センター  （共著）

(2) 「薄膜材料の測定．評価」 (1991) pp.204-215　技術情報協会   （共著）

(3)  ｢膜形成技術用語事典｣(1996) 工業調査会   （共著）

(4) 「コーティング」(2002) 加工技術研究会　　(共著)

(5) 「薄膜作成プロセスにおける成膜条件の最適化」(2003) 技術情報協会   （共著）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2007年7月現在


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