第４６回応用物理学会講演会

弊社ではダイヤモンドのエピタキシャル成長に関して
次のような学会発表をしました。

　 我々は、直流プラズマＣＶＤ法によってイリジウム表面に非ダイヤモンド炭素や炭化物をほとんど含まないダイヤモンド薄膜をエピタキシャル成長できることを報 告してきた。今回は、その薄膜を自立化し評価を行った。ダイヤモンドの成長条件 は文献（１）で述べられている。イリジウム薄膜の下地である酸化マグネシウムは 硝酸で除去し、イリジウムは、スズ鉛共晶はんだと３００℃で合金化した後に硝酸 で除去した。得られた自立膜は、この後＜１１０＞方向に劈開され成形された。 　劈開された膜断面のＳＥＭ像を図−１に示す。表面と断面の成す角度は約５５度 である。この角度は、立方晶における（１１１）面と（１００）面の成す理論的角 度である５４．４７度にほぼ一致している。従って断面はダイヤモンドの代表的劈 開面である（１１１）面であると考えられる。また、自立膜の両面とも反射電子回 折ではエピタキシャル成長したダイヤモンドに対応するパターンのみが観察された。 さらに、共焦点ラマン分光法では、膜中のどの深さにおいてもる非ダイヤモンド炭 素の存在は確認されなかった。

図−１　劈開された自立ダイヤモンド膜のＳＥＭ像

参考文献(1)K.Suzuki,H.Fukuda and A.Sawabe:Reprint from Proc. of The ISAM`98