ダイヤモンド薄膜合成の研究論文
＜査読の付いた論文＞
(1) K.Suzuki, A.Sawabe, H.Yasuda and T.Inuzuka;
"Growth of Diamond Thin Films by dc Plasma Chemical Vapor Deposition"
Appl. Phys. Lett. 50 (1987) pp.728-729
(2) K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka;
"Characterizations of the dc Discharge Plasma During Chemical Vapor
Deposition for Diamond Growth"
Appl. Phys. Lett. 53 (1988) pp.1818-1819
(3) 安田浩明、澤辺厚仁、犬塚直夫、鈴木一博；
「直流放電を用いた気相成長法によるダイヤモンド薄膜の作製と評価」
真空 31 (1988) pp.637-643
(4) A.Sawabe, H.Yasuda, T.Inuzuka and K.Suzuki;
"Growth of Diamond Thin Films in a DC Discharge Plasma"
Appl. Surf. Sci. 33/34 (1988) pp.539-545
(5) S.Koizumi, K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka;
"Growth of Diamond by Atomic Vapor Deposition"
J. Cryst. Growth 99 (1990) pp.1188-1191
(6)S.Koizumi, T.Murakami, K.Suzuki and T.Inuzuka;
"Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Cubic Boron Nitride
｛111｝Surfaces by dc Plasma Chemical Vapor Deposition"
Appl. Phys. Lett. 57 (1990) pp.563-565
(7)K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka;
"Growth of Diamond Thin Films by dc Plasma Chemical Vapor Deposition and
Characteristics of the Plasma"
Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) pp.153-157
(8)T.Inuzuka, S.Koizumi and K.Suzuki;
"Epitaxial growth of diamond thin films on foreign substrates"
Diamond and Related Materials, 1 (1992) pp.175-179
(9)N.Yokonaga,Y.katsu,T.Machida,T.Inuzuka, S.Koizumi and K.Suzuki
"Oriented growth of diamond on thermally carburized silicon substrates"
Diamond and Related Materials,5 (1996) pp.43-47
(10)K.Ohtsuka, K.Suzuki, A.Sawabe and T.Inuzuka
" Epitaxial growth of diamond on iridium "
Jpn.J.Appl.Phys.35 (1996) pp.L1072-L1074
(11)K.Ohtsuka, H.Fukuda, K.Suzuki and A.Sawabe
" Fabrication of epitaxial diamond thin film on iridium "
Jpn.J.Appl.Phys.36 (1997) pp.L1214-L1216
(12)澤辺厚仁、福田秀夫、鈴木一博
「ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長」
電子情報通信学会誌Ｃ−２、J81-C-2 (1998) pp.162-171
＜査読を伴わない論文＞
(13) 小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「比較的平坦な表面形状を持つダイヤモンド薄膜の成長」
ＭＥＳ’９１ 第４回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
(1991) pp.217-220
アルカディア市ヶ谷、東京 ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会（ＳＨＭ）
(14) 横長徳之、町田宅広、小泉聡、犬塚直夫、鈴木一博；
「シリコン下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
ＭＡＳ’９５ 第６回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
(1995) pp.75-78
大宮ソニックシティ、埼玉 エレクトロニクス実装技術協会
＜国際会議資料＞
(15) １９８９年８月２３日
S.Koizumi, T.Inuzuka, A.Sawabe and K.Suzuki
"Growth of diamond by atomic vapor deposition"
Proceedings of the Ninth International Conference on Crystal Growth
Part 2 Section V-XVI pp.1188-1191
(16) １９９４年９月２１日
N.Yokonaga, T.Machida, S.Koizumi, K.Suzuki and T.Inuzuka
"Oriented Growth of Diamond on "Hydrogen Terminated"
Silicon Substrate"
Abstracts of the fourth international conference on the new diamond
science and technology p.219
(17) １９９４年９月２１日
T.Machida, N.Yokonaga, S.Koizumi, K.Suzuki and T.Inuzuka
"Oriented Growth of Diamond on Si by DC Plasma CVD"
Abstracts of the fourth international conference on the new diamond
science and technology p.220
(18) １９９７年８月６日 (invited)
K.Suzuki,K.Ohtsuka,H.Fukuda and A.Sawabe
"Epitaxial Growth of Diamond on Iridium by DC-PCVD Method"
Abstract book of 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and
Related Materials jointly with Applied Diamond Conference 1997 4th
International Conference on the Applications of Diamond Films and Related
Materials p.10.1
(19) １９９８年３月４日 (invited)
K.Suzuki,H.Fukuda and A.Sawabe
"Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Iridium Surface"
Proceedings of The 5th NIRIM (National Institute for Research in Inorganic
Materials) International Symposium on Advanced Materials pp.89-92
＜国際会議を除く研究会資料＞
(20) １９８５年６月４日
A.Sawabe, K.Suzuki and T.Inuzuka
"Growth of Diamond Thin Films by Electron-Assisted Chemical Vapor
Deposition"
Proceedings of 9th Symposium on ISIAT '85 Tokyo (1985) pp.243-246
(21)１９８６年１１月２５日
鈴木一博、安田浩明、澤辺厚仁、鍋田庸一、犬塚直夫；
「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成」
第１回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.19-20
ニューダイヤモンドフォーラム
(22)１９８７年１２月１４日
鈴木一博、雨宮隆久、澤辺厚仁、鍋田庸一、犬塚直夫；
「直流プラズマＣＶＤ法におけるダイヤモンド合成時のプラズマ状態の評価」
第２回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.17-18
ニューダイヤモンドフォーラム
(23) １９８９年１２月１日
鈴木一博、村上智子、小泉聡、犬塚直夫；
「ｃ−ＢＮ表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第３回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.75-76
ニューダイヤモンドフォーラム
(24)１９９１年１月２３日
小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜初期成長過程の観察」
第４回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.119-122
ニューダイヤモンドフォーラム
(25)１９９１年１２月５日
小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「ダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」
第５回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.6-7
ニューダイヤモンドフォーラム
(26)１９９２年５月１５日
鈴木一博；
「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド合成」
電子材料表面処理技術部会 第１６回例会資料 pp.1-9
表面技術協会
(27)１９９２年１１月２６日
梅内伸、小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「ニッケル表面でのダイヤモンドの核発生とエピタキシー」
第６回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.4-5
ニューダイヤモンドフォーラム
(28)１９９３年１１月２９日
町田宅広、大関聡、横長徳之、小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるＳｉ表面へのダイヤモンド成長」
第７回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.96-97
ニューダイヤモンドフォーラム
(29)１９９４年１１月２５日
横長徳之、町田宅広、小泉聡、鈴木一博、犬塚直夫；
「炭化したシリコン下地へのダイヤモンド成長」
第８回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.104-105
ニューダイヤモンドフォーラム
(30)１９９５年１１月２１日
横長徳之、杉森俊哉、鈴木一博、犬塚直夫；
「β−ＳiＣ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第９回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.4-5
ニューダイヤモンドフォーラム
(31)１９９６年５月２４日
鈴木一博、大塚一樹、澤辺厚仁
「イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
犬塚 直夫先生追悼 ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会´９６
−ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する−」講演要旨集 pp.41-46
ニューダイヤモンドフォーラム
(32)１９９７年１２月１日
前出淳、石原弘嗣、鈴木一博、澤辺厚仁
「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性」
第１１回 ダイヤモンドシンポジウム 講演要旨集 pp.166-167
ニューダイヤモンドフォーラム
＜解説＞
(33) 小泉聡、 鈴木一博、 犬塚直夫；
「ダイヤモンド薄膜合成に関する最近の話題」 材料科学 25 (1988) 271-276
(34) 鈴木一博、 犬塚直夫；
「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド合成」
表面技術、42 (1991) 1196-1198
(35) 鈴木一博、 大塚一樹、 澤辺厚仁；
「イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
ＮＥＷ ＤＩＡＭＯＮＤ、44 (1997) 20-21
＜書籍＞
(36) 「ダイヤモンド薄膜技術」 (1988) pp.101-115 総合技術センター （共著）
＜国際会議以外の口頭発表＞
(37)１９８４年３月３０日
「ＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成（T）」
第３１回応用物理学関係連合講演会 明治大学工学部 応用物理学会
(38)１９８６年１１月２５日
「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成」
第１回 ダイヤモンドシンポジウム 機械振興会館、東京
ニューダイヤモンドフォーラム
(39)１９８７年３月２８日
「ＤＣプラズマＣＶＤによる粒状ダイヤモンドの合成」
第３４回応用物理学関係連合講演会 早稲田大学 応用物理学会
(40)１９８７年１０月１８日
「直流プラズマＣＶＤによるダイヤモンドの合成とそのプラズマ状態の評価」
第４８回応用物理学会学術講演会 名古屋大学 応用物理学会
(41)１９８７年１２月１４日
「直流プラズマＣＶＤ法におけるダイヤモンド合成時のプラズマ状態の評価」
第２回 ダイヤモンドシンポジウム 経団連会館、東京
ニューダイヤモンドフォーラム
(42)１９８８年１０月５日
「原子蒸着法によるダイヤモンドの合成」
第４９回応用物理学会学術講演会 富山大学 応用物理学会
(43)１９８９年４月１日
「原子蒸着法によるダイヤモンドの合成 U」
第３６回応用物理学関係連合講演会 千葉大学 応用物理学会
(44)１９８９年９月２７日
「立方晶窒化ホウ素粒子表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」
第５０回応用物理学会学術講演会 福岡工業大学 応用物理学会
(45)１９８９年１２月１日
「ｃ−ＢＮ表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第３回 ダイヤモンドシンポジウム 野口英世記念会館、東京
ニューダイヤモンドフォーラム
(46)１９９０年３月２９日
「立方晶窒化ほう素粒子表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」
第３７回応用物理学関係連合講演会 東洋大学 応用物理学会
(47)１９９０年９月２７日
「シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜の初期成長過程の観察」
第５１回応用物理学会学術講演会 岩手大学 応用物理学会
(48)１９９１年１月２３日
「シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜初期成長過程の観察」
第４回 ダイヤモンドシンポジウム ホテルニューオータニ長岡
ニューダイヤモンドフォーラム
(49)１９９１年５月１０日
「比較的平坦な表面形状を持つダイヤモンド薄膜の成長」
ＭＥＳ’９１ 第４回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
アルカディア市ヶ谷、東京 ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会（ＳＨＭ）
(50)１９９１年１０月１０日
「加圧型ＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成」
第５２回応用物理学会学術講演会 岡山大学 応用物理学会
(51)１９９１年１２月５日
「ダイヤモンドのエピタキシャル成長過程の観察」
第５回 ダイヤモンドシンポジウム 筑波研究交流センター、
ニューダイヤモンドフォーラム
(52)１９９２年３月２８日
「平面状プラズマを用いたダイヤモンド合成」
第３９回応用物理学関係連合講演会 日本大学 応用物理学会
(53)１９９２年３月２９日
「Ｎｉ薄膜表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第３９回応用物理学関係連合講演会 日本大学 応用物理学会
(54)１９９２年５月１５日
「直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド合成」
電子材料表面処理技術部会 第１６回例会 弘済会館、東京 表面技術協会
(55)１９９２年９月１６日
「ダイヤモンド表面におけるシリコンのエピタキシャル成長T」
第５３回応用物理学会学術講演会 関西大学 応用物理学会
(56)１９９２年９月１６日
「ニッケル薄膜表面におけるダイヤモンドのエピタキシャル成長U」
第５３回応用物理学会学術講演会 関西大学 応用物理学会
(57)１９９２年１１月２６日
「ニッケル表面でのダイヤモンドの核発生とエピタキシー」
第６回 ダイヤモンドシンポジウム 日本工業大学学友会館、
ニューダイヤモンドフォーラム
(58)１９９３年９月２７日
「三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド成長」
第５４回応用物理学会学術講演会 北海道大学 応用物理学会
(59)１９９３年９月２９日
「燐化合物及び燐を不純物源としたダイヤモンド薄膜の作製とその評価」
第５４回応用物理学会学術講演会 北海道大学 応用物理学会
(60)１９９３年１１月２９日
「三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるＳｉ表面へのダイヤモンド成長」
第７回 ダイヤモンドシンポジウム 神戸国際会議場、兵庫
ニューダイヤモンドフォーラム
(61)１９９４年３月２８日
「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長T」
第４１回応用物理学関係連合講演会 明治大学 応用物理学会
(62)１９９４年３月３０日
「五酸化二燐を不純物源としたダイヤモンド薄膜の作製とその電気特性」
第４１回応用物理学関係連合講演会 明治大学 応用物理学会
(63)１９９４年９月２０日
「燐ドープ・１１１・ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気特性」
第５５回応用物理学会学術講演会 名城大学 応用物理学会
(64)１９９４年９月２１日
「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長U」
第５５回応用物理学会学術講演会 名城大学 応用物理学会
(65)１９９４年１１月２５日
「炭化したシリコン下地へのダイヤモンド成長」
第８回 ダイヤモンドシンポジウム 東京工業大学、東京
ニューダイヤモンドフォーラム
(66)１９９５年３月３０日
「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Щ」
第４２回応用物理学関係連合講演会 東海大学 応用物理学会
(67)１９９５年４月１９日
「シリコン下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
ＭＥＳ’９５ 第６回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
大宮ソニックシティ、埼玉 エレクトロニクス実装技術協会
(68)１９９５年８月２６日
「Ｓｉ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長W」
第５６回応用物理学会学術講演会 金沢工業大学 応用物理学会
(69)１９９５年１１月２１日
「β−ＳiＣ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第９回 ダイヤモンドシンポジウム 青山学院大学、東京
ニューダイヤモンドフォーラム
(70)１９９５年１１月２２日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第９回 ダイヤモンドシンポジウム 青山学院大学、東京
ニューダイヤモンドフォーラム (Late News)
(71)１９９６年３月２６日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
第４３回応用物理学関係連合講演会 東洋大学 応用物理学会
(72)１９９６年３月２７日
「ホモエピタキシアルダイヤモンド薄膜からの電界電子放出」
第４３回応用物理学関係連合講演会 東洋大学 応用物理学会
(73)１９９６年５月２４日
「イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長」
犬塚 直夫先生追悼 ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会´９６
−ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する−」
電気通信大学 ニューダイヤモンドフォーラム
(74)１９９６年９月７日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長U」
第５７回応用物理学会学術講演会 九州産業大学 応用物理学会
(75)１９９６年９月７日
「ホモエピタキシアルダイヤモンド薄膜からの電界電子放出U」
第５７回応用物理学会学術講演会 九州産業大学 応用物理学会
(76)１９９６年１２月３日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル薄膜の作製」
第１０回 ダイヤモンドシンポジウム 電気通信大学、東京
ニューダイヤモンドフォーラム (Late News)
(77)１９９７年３月２８日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長V」
第４４回応用物理学関係連合講演会 日本大学船橋校舎 応用物理学会
(78)１９９７年１０月２日
「イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長W」
第５８回応用物理学会学術講演会 秋田大学 応用物理学会
(79)１９９７年１０月３日
「燐添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出特性」
第５８回応用物理学会学術講演会 秋田大学 応用物理学会
(80)１９９７年１２月１日
「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性」
第１１回 ダイヤモンドシンポジウム 大阪大学、大阪
ニューダイヤモンドフォーラム
＜国際会議の口頭発表＞
(81) １９８７年８月２４日
A.Sawabe, H.Yasuda, T.Inuzuka and K.Suzuki;
"Growth of Diamond Thin Films in a DC Discharge Plasma"
Fourth International Conference on Solid Films and Surfaces ICSFS-4
グランドホテル浜松 Research Institute of Electronics, Shizuoka University
(82) １９８９年８月２３日
S.Koizumi, T.Inuzuka, A.Sawabe and K.Suzuki
"Growth of Diamond by Atomic Vapor Deposition"
9th International Conference on Crystal Growth 仙台 ICCG-9
(83) １９９４年９月２１日
N.Yokonaga, T.Machida, S.Koizumi, K.Suzuki and T.Inuzuka
"Oriented Growth of Diamond on "Hydrogen Terminated"
Silicon Substrate"
The fourth international conference on the new diamond science
International Conference Center Kobe JAPAN
(84) １９９４年９月２１日
T.Machida, N.Yokonaga, S.Koizumi, K.Suzuki and T.Inuzuka
"Oriented Growth of Diamond on Si by DC Plasma CVD"
The fourth international conference on the new diamond science
International Conference Center Kobe JAPAN
(85) １９９７年８月６日 (Invited)
K.Suzuki, K.Ohtsuka, H.Fukuda and A.Sawabe
"Epitaxial Growth of Diamond on Iridium by DC-PCVD Method"
8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials
jointly with Applied Diamond Conference 1997 4th International Conference
on the Aplications of Diamond Films and Related Materials
Heriot-Watt University,Edinburgh,Scotland
(86) １９９８年３月４日 (invited)
K.Suzuki,H.Fukuda and A.Sawabe
"Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Iridium Surface"
Proceedings of The 5th NIRIM International Symposium on Advanced
Materials pp.89-92
NIRIM, Tsukuba,National Institute for Research in Inorganic Materials
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