薄膜試作 技術紹介 サービスの流れ

スパッタリング法、真空蒸着法によってお客様ご支給基材に金属、酸化物、窒化物、フッ化物、 有機物を成膜します。

薄膜試作サービスの流れ

お問い合わせ

どのような薄膜をどのような基材に成膜したいのか、概要をお知らせ下さい。
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試作可否の検討

弊社での試作の可否、概算見積額及び納期を回答し成膜方法、成膜条件等のご提案をします。
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見積書の発行

FAXまたはメールにて見積書を提出します。
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ご発注

発注書のご発行及び基材のご送付をお願いします。
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成膜作業

お打ち合わせに基づき成膜作業を行います。
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納品

成膜された試料を作業報告書と共に納品します。

所有成膜装置

台数
4機(市販品ではないため型番はありません)
環境
基板のセッティングは、可能な限りクリーンベンチ内で行われますが、各真空装置はクリーンルーム内には置かれておりません。

真空装置A

成膜方法
真空蒸着またはRFイオンプレーティング
真空槽形状
800h×φ550
主排気装置
ターボ分子ポンプ
その他
10kW電子銃

真空装置B

成膜方法
スパッタリングまたはRFCVD
真空槽形状
350h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
12カ所
その他
自公転基板ホルダー

真空装置C

成膜方法
スパッタリング
真空槽形状
450h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
12カ所
その他
3源同時放電・多層膜・
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)

真空装置D

成膜方法
スパッタリングまたは抵抗加熱式真空蒸着
真空槽形状
450h×φ450
主排気装置
油拡散ポンプ
ターゲット取付可能ポート
10カ所
その他
2源同時放電
基板加熱(基板ホルダー温度で800℃まで)

※装置B,C,Dは比較的自由度が大きく上記以外にも様々な成膜に対応可能です。

  • ■クリーンベンチ(class 100、日立製作所)
  • ■RF電源(13.56MHz,1kW、日本電子)
  • ■DC電源(1000V,5A(MDX-5K 2台ADVANCED ENERGY)、2500V,300mA、2000V,5A、650V,100mA)
  • ■電子銃(10kW、日本電子)
  • ■真空熱処理炉(400℃まで)
  • ■成膜時導入可能気体Ar、O2、N2、He、Ar+O2等(いずれも純ガス)

氏名

鈴木一博

薄膜に関する論文

約30報

出身

新潟県

薄膜に関する著書

6冊(共著)

学位

工学博士

薄膜に関する学会発表

約200回(2013年まで)

所属学会等

応用物理学会、電気学会、高分子学会、電気化学会化学センサ研究会、湿度、水分計測・センサ研究会

その他

元青山学院大学、国際基督教大学非常勤講師

略   歴
1993年 青山学院大学理工学部電気電子工学科より工学博士授与(同大同学科の論文ドクター第一号です)
2014年 薄膜成長に携わり続けて35年目現在に至る

tel:042-490-7377

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